富瑞發(fā)布研報(bào)稱，英諾賽科(02577)加入英偉達(dá)(NVDA.US)800V直流電源供應(yīng)商名單，對(duì)氮化鎵(GaN)和英諾賽科意義重大，英諾賽科作為硅解決方案的新供應(yīng)商，且是名單上唯一的中國(guó)半導(dǎo)體公司。該行維持對(duì)英諾賽科“買入”評(píng)級(jí)。

　　其他已列入名單的半導(dǎo)體公司包括：模擬器件(Analog Devices)、英飛凌(Infineon)(IFNNY.US) 、MPS、納微半導(dǎo)體(NVTS.US)、安森美(OnSemi)(ON.US) 、Renasas(6723.JP)、羅姆(ROHM)、意法半導(dǎo)體(STM.US)、德州儀器(TXN.US)。英偉達(dá)的800V直流電源是一種全新架構(gòu)，電壓顯著提高，該架構(gòu)于2025年GTC發(fā)布作為初步設(shè)計(jì)，旨在支持每個(gè)機(jī)架570kW的總功耗，可能用于下一代AI芯片Ruben(當(dāng)前一代為Blackwell)。

　　鑒于高功耗，英偉達(dá)提高了電源架的電壓以降低電流，從而減輕銅線的負(fù)擔(dān)(電流越高，傳輸電力所需的銅線越多)。氮化鎵在高壓AI機(jī)架中將扮演重要角色，因其具有更高的傳輸效率、更高頻率以及更小更輕的設(shè)備優(yōu)勢(shì)。該行認(rèn)為，AI數(shù)據(jù)中心的功耗水平將持續(xù)上升，Meta(META.US)最近討論了其計(jì)劃運(yùn)行1GW數(shù)據(jù)中心，采用1MW機(jī)架(1MW=1000kW，相較于英偉達(dá)當(dāng)前設(shè)計(jì)的570kW)。這應(yīng)使氮化鎵相較于硅基MOSFET解決方案成為越來越受青睞的技術(shù)。

　　富瑞指，英諾賽科進(jìn)入英偉達(dá)供應(yīng)鏈可能因臺(tái)積電(TSM.US)關(guān)閉其氮化鎵代工廠而加速。在上述英偉達(dá)的硅供應(yīng)商中，Navitas已名列其中。然而，Navitas的主要代工合作伙伴臺(tái)積電將于2026年中關(guān)閉其氮化鎵代工廠，迫使Navitas轉(zhuǎn)向PSMC。這顯示了使用無晶圓廠供應(yīng)商的風(fēng)險(xiǎn)。該行認(rèn)為，英諾賽科的IDM(整合組件制造)地位、先進(jìn)技術(shù)以及全球最大的氮化鎵代工產(chǎn)能可能是英偉達(dá)選擇其為合作伙伴的關(guān)鍵因素。

　　該行料AI服務(wù)器氮化鎵市場(chǎng)總額(TAM)的初步估計(jì)為25億美元，意味著英諾賽科上周五的股價(jià)大漲僅以5倍市盈率(PE)資本化了潛在利潤(rùn)。該行同意，目前量化潛力尚早，因?yàn)?00VDC架構(gòu)和Ruben芯片設(shè)計(jì)尚未最終確定。該行預(yù)計(jì)量產(chǎn)將于2027年開始。

　　然而，該行嘗試以當(dāng)前的NV72(基于GB200)為例，粗略估計(jì)TAM，結(jié)論為僅英偉達(dá)的部分就達(dá)15億美元，若包含云服務(wù)提供商的ASIC則為25億美元。假設(shè)英諾賽科市場(chǎng)份額為50%(主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手可能是英飛凌和Navitas)且凈利潤(rùn)率為25%，該行估計(jì)上周五英諾賽科市值增加的15億美元僅以5倍市盈率資本化了AI服務(wù)器的潛在利潤(rùn)，這意味著長(zhǎng)期上行潛力仍然巨大，該行亦指對(duì)如此大漲后的進(jìn)一步獲利回吐不會(huì)感到意外。